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術(shù)語(yǔ)解釋

  • 微 X 射線熒光 (μXRF)

    微 X 射線熒光 (μXRF) 打印微 X 射線熒光 (μXRF) 是一種元素分析技術(shù),它允許檢測(cè)非常小的樣品區(qū)域。與傳統(tǒng)的 XRF 儀器一樣,微 X 射線熒光通過使用直接 X 射線激發(fā)來誘導(dǎo)來自樣品的特性 X 射線熒光發(fā)射,以用于元素分析。與傳統(tǒng) XRF 不同(其典型空間分辨率的直徑范圍從幾百微米到幾毫米),μXRF 使用 X 射線光學(xué)晶體來限制激發(fā)光束尺寸或?qū)⒓ぐl(fā)光束聚焦到樣品表面上

    2019-05-09

  • 波長(zhǎng)色散 X 射線熒光 (WDXRF)

    波長(zhǎng)色散 X 射線熒光 (WDXRF)波長(zhǎng)色散 X 射線熒光 (WDXRF) 是用于元素分析應(yīng)用的兩種通用型 X 射線熒光儀器之一。在 WDXRF 光譜儀中,樣品中的所有元素同時(shí)被激發(fā)。樣品發(fā)射的特性輻射的不同能量被分析晶體或單色儀衍射到不同方向(類似于棱鏡將不同顏色的可見光分散到不同方向)。通過將檢測(cè)儀置于一定角度,可以測(cè)量具有一定波長(zhǎng)的 X 射線的強(qiáng)度。連續(xù)光譜儀使用測(cè)角儀上的移動(dòng)探測(cè)器使其移

    2019-05-09

  • 能量色散 X 射線熒光 (ED XRF)

    能量色散 X 射線熒光 (ED XRF)?打印能量色散 X 射線熒光 (EDXRF) 是用于元素分析應(yīng)用的兩種通用型 X 射線熒光技術(shù)之一。在 EDXRF 光譜儀中,樣品中的所有元素都被同時(shí)激發(fā),而能量色散檢測(cè)儀與多通道分析儀相結(jié)合,用于同時(shí)收集從樣品發(fā)射的熒光輻射,然后區(qū)分來自各個(gè)樣品元素的特性輻射的不同能量。EDXRF 系統(tǒng)的分辨率取決于檢測(cè)儀,通常范圍為 150 eV - 600

    2019-05-09

  • XRD

    X射線衍射 (XRD) 依賴于 X 射線的雙波/顆粒性質(zhì)來獲得關(guān)于晶體材料結(jié)構(gòu)的信息。該技術(shù)的主要用途是根據(jù)其衍射圖對(duì)化合物進(jìn)行鑒定和特性描述。當(dāng)單色 X 射線的入射束與目標(biāo)材料相互作用時(shí),發(fā)生的顯性效應(yīng)是,這些 X 射線從目標(biāo)材料內(nèi)的原子進(jìn)行散射。在具有規(guī)則結(jié)構(gòu)(即晶體)的材料中,散射的 X 射線會(huì)經(jīng)歷相長(zhǎng)干涉和相消干涉。這就是衍射的過程。晶體對(duì) X 射線的衍射遵循布拉格定律,nλ = 2dsi

    2019-05-09

  • 暗電流(Dark Current)

    勢(shì)阱收集的是電子,對(duì)P-Si襯底來說,是P型半導(dǎo)體的少子。由于熱激發(fā),P型半導(dǎo)體總會(huì)有少量的電子生成,其數(shù)量與溫度密切相關(guān),230K~300K范圍內(nèi)少子數(shù)量與溫度(K)的近似關(guān)系如下: 暗電流越小越好,一般以每秒每像素多少個(gè)電子給出。Greateyes GE-VAC 1024 256 BI UV1暗噪聲0.0005 e-/pixel/sec @ -80℃熱激發(fā)產(chǎn)生的電子是一種噪聲,稱為暗噪聲(Da

    2018-12-04

  • 量子效率(Quantum Efficiency)(光譜特性)

    量子效率(Quantum Efficiency)(光譜特性)定義為CCD芯片在一定波長(zhǎng)入射光的照射下,由光電效應(yīng)產(chǎn)生的平均光電子數(shù)與入射光子數(shù)之比,表征了CCD芯片對(duì)不同波長(zhǎng)入射光的敏感程度。不同波長(zhǎng)的光量子效率不同,CCD對(duì)某些波長(zhǎng)的量子效率可高達(dá)98%。光電子數(shù)量:入射方式l  當(dāng)光從柵極一側(cè)入射時(shí),光會(huì)被柵極吸收一部分,并且某些波長(zhǎng)的光子可能無法穿過柵極和SiO2絕緣層,量子效率低

    2018-12-04

  • CCD的結(jié)構(gòu)、工作原理和制造方法

    CCD結(jié)構(gòu)和工作原理CCD每個(gè)像素是一個(gè)金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxidation-Semiconductor, MOS)單元,按制造方法大體上可分為:l? 表面溝道電荷耦合器件(SCCD – Surface-channel Charge-Coupled Device)l? 隱埋通道電荷耦合器件(BCCD – Buried Channel Charge-Coupled

    2018-12-04

  • 像素滿井容量(Full-Well Capacity)

    對(duì)科學(xué)級(jí)相機(jī),一般為數(shù)百個(gè)ke。滿井容量與柵極電壓UG、絕緣層電容Cox、柵極面積Ad和P-Si摻雜濃度相關(guān):Q=Cox×UG×AdGreateyes內(nèi)真空相機(jī) GE-VAC 1024 256 BI UV1,像素滿井容量為500ke。滿井容量高,則動(dòng)態(tài)范圍大。上述內(nèi)容由我司Jerry Huang 整理收集,僅用于知識(shí)的分享和共同學(xué)習(xí),未經(jīng)過同意不得擅自轉(zhuǎn)載。

    2018-12-04

  • 光子計(jì)數(shù)、像素化X射線探測(cè)器(HPC)的?電荷共享效應(yīng)和點(diǎn)擴(kuò)散效應(yīng)

    電荷共享效應(yīng)(Charge-Sharing Effect)和點(diǎn)擴(kuò)散效應(yīng)(Charge Diffusion)光子計(jì)數(shù)、像素化X射線探測(cè)器,傳感器像素沒有類似于CCD列溝阻那樣的物理劃分,像素是通過焊接球劃分的。因此,產(chǎn)生的光電子因電場(chǎng)的作用和擴(kuò)散,可能會(huì)被產(chǎn)生位置臨近的幾個(gè)電極收集,也就是被臨近的幾個(gè)像素共享,必然會(huì)導(dǎo)致能量譜失真。傳感器芯片越厚,電荷共享效應(yīng)越嚴(yán)重。電荷共享效應(yīng)也可稱為點(diǎn)擴(kuò)散效應(yīng)。

    2018-11-16

  • X射線CCD探測(cè)器與光子計(jì)數(shù)、像素化X射線探測(cè)器(HPC)的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)

    與CCD相比,混合像素光子計(jì)數(shù)器(Hybrid Pixel photon Counter, HPC)有什么優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)?和CCD相比,HPC有以下優(yōu)勢(shì):1.         HPC可以鑒別光子能量,同時(shí)得到光子流率。2.         無噪

    2018-11-16

  • CCD分辨率

    單位面積的像素個(gè)數(shù),分辨率與像素大?。娣e)、單位面積或單位長(zhǎng)度內(nèi)像素個(gè)數(shù)相關(guān)。科學(xué)級(jí)CCD相機(jī)通常以像素大小和像素個(gè)數(shù)給出分辨率。如Greateyes內(nèi)真空相機(jī) GE-VAC 1024 256 BI UV1,像素個(gè)數(shù)為1024×256個(gè),像素面積為26μm×26μm。

    2018-10-17

  • CCD是什么?

    CCD是Charge-Coupled Device電荷耦合器件的縮寫。CCD是貝爾實(shí)驗(yàn)室W.S.Boyle和G.E.Smith于1970年發(fā)明的,由于它具有光電轉(zhuǎn)換、信息存儲(chǔ)、延時(shí)和將電信號(hào)按順序傳送等功能,且集成度高、功耗低,因此隨后得到飛速發(fā)展,是圖像采集及數(shù)字化必不可少的關(guān)鍵部件,廣泛用于科學(xué)、教育、醫(yī)學(xué)、商業(yè)、工業(yè)、軍事和消費(fèi)領(lǐng)域。

    2018-10-17

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