量子效率（Quantum Efficiency）（光譜特性）

定義為CCD芯片在一定波長(zhǎng)入射光的照射下，由光電效應(yīng)產(chǎn)生的平均光電子數(shù)與入射光子數(shù)之比，表征了CCD芯片對(duì)不同波長(zhǎng)入射光的敏感程度。不同波長(zhǎng)的光量子效率不同，CCD對(duì)某些波長(zhǎng)的量子效率可高達(dá)98%。

光電子數(shù)量：

入射方式

l  當(dāng)光從柵極一側(cè)入射時(shí)，光會(huì)被柵極吸收一部分，并且某些波長(zhǎng)的光子可能無(wú)法穿過(guò)柵極和SiO₂絕緣層，量子效率低，甚至為0。如果光從襯底一側(cè)入射，就沒(méi)有柵極和SiO₂絕緣層的阻擋和吸收。因此CCD相機(jī)有一項(xiàng)重要參數(shù)：入射方式，分為前照式和背照式。

前照式（Front-illuminated）：從柵極電極一側(cè)入射

       背照式（Back-illumination）：從襯底一側(cè)入射

       下圖是Greateyes CCD相機(jī)不同照射方式的波長(zhǎng)-量子效率曲線?？梢钥闯?，對(duì)波長(zhǎng)550nm的入射光，背照式GE xxx xxx BI量子效率約60%，而前照式GE xxx xxx FI只有40%左右

提高量子效率的途徑

從上圖可以看出，同一款相機(jī)不同波長(zhǎng)的量子效率是不同的。如果在CCD上加一層AR（Anti-Reflection）Coating抗反射涂層，會(huì)顯著提高短波長(zhǎng)區(qū)的量子效率。從上左圖可以看出，對(duì)350nm波長(zhǎng)，GE xxx xxx FI UV比GE xxx xxx FI高很多。

l  一塊CCD芯片上有很多個(gè)像素時(shí)，每個(gè)像素都有一個(gè)勢(shì)阱，這些像素就會(huì)產(chǎn)生出一幅與光照強(qiáng)度相對(duì)應(yīng)的電荷包圖像。

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