周期：3±0.1μm；占空比：0.5±0.05；光柵面積：50mm x 50mm；光柵厚度：25-29μm

不同厚度金箔的 X 射線能量透過率 

結合實際應用場景，選擇合適的技術路線和技術參數(shù)，將微結構尺度控制在15-30μm 范圍，深寬比甚至可以達到30；那么無論是從技術實行難度還是成本方面，都是非常有意義的。這些能力也完全能夠支撐邊緣照明技術路線的微結構制作?？梢钥吹?，400μm 的厚度，完全可以支撐 60-80keV 的高能應用。

高縱橫比針孔

光柵法相襯成像

但這種方式犧牲了一維方向上的視場。既然光柵這條路不好走，那么我們可能需要轉換思路。

對于光源來說，100KV 以上的微焦點光源是可以獲得的，但是其光通量必然較低。在高投影放大倍數(shù)的情況下，落到每一個像素的光子數(shù)極其有限。顯然，如果要用同軸法來實現(xiàn)高能的寬視場相襯成像，對探測器的要求有：小像素、低串擾以保證高空間分辨、高能高靈敏響應以保證實驗效率、視場大小則制約樣品尺寸。

可以看到：無論是 8μm 的高分辨線對卡，還是 15-30μm 的低分辨卡，強度調制都非常明顯。說明 BrillianSe? 的空間分辨能力非常優(yōu)秀。

接下來通過刀邊成像，提取線分布函數(shù)：

可以看到：其半高全寬為 9.7μm，僅為像素尺寸的1.1倍。而同樣是 9μm 像素的間接探測 CCD 相機參數(shù)：其點擴散（FWHM = 27μm），一般是像素尺寸的 3 倍。所以，這個數(shù)據(jù)再次說明，直接探測型 a-Se CMOS 探測器的空間分辨能力是非常優(yōu)越的。

同時，這款探測器是直接探測，具有天然的靈敏度優(yōu)勢，其采用100μm 厚的 a-Se 傳感器，高能響應可以覆蓋100keV。所以，該款探測器為高能寬視場同軸相襯成像的實現(xiàn)提供了可能。

a-Se CMOS 探測器 BrillianSe? 測試結果：

6. Pil-Ali, Abdollah, et al. "Direct Conversion X-ray Detector with Micron-Scale Pixel Pitch for Edge-Illumination and Propagation-Based X-ray Phase-Contrast Imaging." Sensors 22.15 (2022): 5890.

7.Li, Xinbin, et al. "A preclinical large-field-of-view x-ray multi-contrast lung imaging prototype." Medical Imaging 2020: Physics of Medical Imaging. Vol. 11312. SPIE, 2020.

8. Thüring, Thomas, et al. "X-ray phase-contrast imaging at 100 keV on a conventional source." Scientific reports 4.1 (2014): 1-4.

9. Scott, Christopher C., et al. "High-energy micrometre-scale pixel direct conversion X-ray detector." Journal of Synchrotron Radiation 28.4 (2021): 1081-1089.