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行業(yè)資訊

NTT-AT- 寬帶、極紫外透射光柵及其應(yīng)用

2020-11-20 13:28:46

效率均勻的寬帶EUV透射光柵最初是為像光譜學(xué)、光束分束和光束監(jiān)測這樣的高次諧波應(yīng)用而開發(fā)的。這種通過電子束光刻和干法蝕刻制造的自支撐透射光柵能構(gòu)造出結(jié)構(gòu)緊湊、易于校準的EUV光譜儀。另外,這種光柵非常容易根據(jù)客戶的要求定制參數(shù),比如柵線數(shù)量,目標波長和占空比。

對于許多科學(xué)和高科技領(lǐng)域來說,EUV光源都是極具吸引力的。高次諧波是用于阿秒科學(xué)、內(nèi)殼層電子動力學(xué)測量和角分辨光電子能譜(ARPES)實驗的桌面光源。軟x射線自由電子激光開啟了新材料科學(xué)研究的大門,它對探究材料表面的損傷機理非常有用。


在高新技術(shù)領(lǐng)域,激光激發(fā)離子光源(LPP)的重大創(chuàng)新使得EUV光刻變成了一種工業(yè)工具。對于這些EUV應(yīng)用來說,需要在實驗光束線站或工業(yè)系統(tǒng)中安裝許多種類的光學(xué)元件。鏡片、薄膜濾光片、反射光柵和探測器這些基本光學(xué)元件外,還有許多標準的和定制化的的商業(yè)產(chǎn)品。另一方面,盡管透射光柵(TGs)是可見光、紫外線和X射線領(lǐng)域中應(yīng)用的主要部件,但將其應(yīng)用于EUV的有關(guān)報告和范例很少。

窄帶EUV光源在科學(xué)和工業(yè)領(lǐng)域都是最重要的工具之一。光電子能譜實驗的能量分辨率受到光源帶寬的限制,前沿研究需要幾十毫電子伏范圍的帶寬。對EUV光刻和EUV檢測工具,使用Mo/Si多層膜鏡組合可將等離子光源的帶寬縮小到2%左右。在許多材料科學(xué)領(lǐng)域,在樣品前端通過會使用基于反射光柵的單色器來獲取窄帶寬的EUV光束。


與傳統(tǒng)的反射光柵或多層膜鏡相比,透射光柵具有許多優(yōu)點:
(1)只有它能在簡單的光學(xué)設(shè)置下實現(xiàn)對EUV光的單色化;
(2)具有寬帶和均勻的效率;
(3)利用透射光柵可以構(gòu)造出結(jié)構(gòu)更緊湊、更易對準的光譜儀。
在下文中,我們將介紹兩種來自日本NTT-AT公司的適用于窄帶EUV應(yīng)用的自支撐、透射光柵。其中一種是Ta/SiN雙層結(jié)構(gòu)的光柵,并對水窗波段進行了優(yōu)化。另一種是由SiN材料制成的光柵,并對13.5nm波段進行了優(yōu)化。圖1(a)和圖1(b)顯示了優(yōu)化后的EUV自支撐透射光柵的一級衍射效率(模擬曲線),分別優(yōu)化了水窗波段和13.5 nm波段。它們的參數(shù)如表1所示,這兩種透射光柵均采用了電子束光刻和干/濕組合蝕刻技術(shù),且易于定制柵線數(shù)量、目標波長和占空比等參數(shù)。
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在光柵制造的第一步中,采用低壓化學(xué)氣相沉積法(LP-CVD),在Si(100)晶片的兩側(cè)沉積了100nm的SiN。然后在一側(cè)的SiN上沉積100nm的Ta層,隨之涂覆用于電子束光刻的光刻膠[圖2(a)]。在電子束光刻之后,對Ta進行干法蝕刻[圖2(b)]。第三步,通過光刻和KOH濕法去除光刻膠并從背面形成窗口圖案[圖2(c)],并去將Ta光柵下端區(qū)域的SiN去除[圖2(d)]。最后,將制造的Ta / SiN雙涂層自支撐光柵分成10mmx 10mm的薄片。對于SiN單涂層光柵,其主要制造工藝幾乎與Ta / SiN 透射光柵的制造工藝相同:SiN沉積,電子束光刻,干法蝕刻,窗口構(gòu)圖和切割。

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這些工藝的優(yōu)點如下:

(1)極易根據(jù)需求定制的占空比、柵線厚度等參數(shù);(2)邊緣垂直度為88 - 90度,這個參數(shù)比其他加工方法都要好,如壓印加工和剝離加工。


Ta/SiN透射光柵的SEM圖像和外部圖像分別如圖3 (a) 和 (b)所示。高銳度、低粗糙度的透射光柵有望獲得理想的衍射效率。這種新型EUV光學(xué)元件將被廣泛應(yīng)用于光譜學(xué)、顯微學(xué)以及工業(yè)領(lǐng)域。


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相關(guān)文章及應(yīng)用:





1.  Satoshi Matsuyama, Hikaru Yokoyama, Ryosuke Fukui, Yoshiki Kohmura, Kenji Tamasaku, Makina Yabashi, Wataru Yashiro, Atsushi Momose, Tetsuya Ishikawa, and Kazuto Yamauchi,“Wavefront measurement for a hard-X-ray nanobeam using single-grating interferometry”O(jiān)pt. Express 20(12), 24977-24986 (2012).

大阪大學(xué)的Satoshi Matsuyama等科學(xué)家使用了基于日本NTT-AT公司的EUV透射光柵的單光柵干涉儀,在SPring-8的光束線站上進行了對硬X射線納米光束進行的波前測量。使用全反射橢圓鏡將10 keV X射線一維聚焦至32 nm。在聚焦鏡前段的使用變形鏡產(chǎn)生了扭曲的波陣面。,通過光腰附近光強分布的相位恢復(fù)法與干涉法測量的波陣面進行了交叉檢查。所獲得的波前誤差的比較顯示,它們彼此之間的一致性很好,而且與可變形反射鏡的形狀所估算的大概0.5rad的波前誤差也相差不多。





2.  Deepak Kumar,Dan Stutman, Kevin Tritz, Michael Finkenthal, Charles Tarrio, and Steven Grantham,“Transmission grating based EUV imaging spectrometer for time and space resolved impurity measurements.”Rev. Sci. Instrum., 81 (2010), p. 10E507

約翰·霍普金斯大學(xué)物理與天文學(xué)系的Deepak Kumar等人為國家球面環(huán)實驗(NSTX)研制了一種適用于極紫外范圍的自支撐透射光柵成像光譜儀。該光譜儀使用了日本NTT-AT公司的Ta/SiC的透射光柵,其測量范圍在30埃至700埃之間,分辨率約為3%。





3.  Takaki Hatsui, Eiji Shigemasa and Nobuhiro Kosugi,”Design of a transmission grating spectrometer and an undulator beamline for soft x‐ray emission studies” AIP Conference Proceedings 705, 921 (2004)

Takaki Hatsui等人采用了日本NTT-AT公司的自支撐透射光柵,設(shè)計出了一款用于軟X射線發(fā)射研究的x射線發(fā)射譜儀。x射線發(fā)射光譜儀含有一個Wolter反射鏡,一個自支撐透射光柵和一個背照CCD。光柵的Ta層吸收了大部分的X射線,所以光柵在其中起到了振幅光柵的作用。在紫外光源BL4B的測量下,光柵在200-250eV范圍內(nèi)的絕對衍射效率為1-2%。





4.   Deepak Kumar, Daniel J. Clayton, Matthew Parman, Dan Stutman, Kevin Tritz, and Michael Finkenth,“Dual transmission grating based imaging radiometer for tokamak edge and divertor plasmas”Review of Scientific Instruments 83, 10E511 (2012)

使用日本NTT-AT公司的雙透射光柵,作者提出了成像輻射計的設(shè)計。輻射計在XUV的覆蓋范圍為20 - 200埃,分辨率為~10埃; VUV覆蓋范圍為200 - 2000埃,分辨率為~50埃。輻射計的空間視角為16度,角分辨為0.33度,時間分辨率大約為 10 ms。這種輻射計的應(yīng)用包括在托卡馬克邊緣和偏濾器的雜質(zhì)空間位置監(jiān)測和電子溫度測量。同時作為原理姓的驗證,作者利用單個自支撐光柵對低溫反射放電進行了診斷,并給出了相關(guān)數(shù)據(jù)。


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